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规格书 |
IPI04N03LA, IPP04N03LA |
文档 |
Multiple Devices 04/Jun/2009 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 60µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 32nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3877pF @ 15V |
功率 - 最大 | 107W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
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